此外，LED芯片硅襯底上氮化鎵功率器件也是很重要的一個應用領域，有望超越傳統的功率器件開拓出一個新的應用領域。以氮化鎵為代表的第三代半導體一個主要特點就是禁帶寬度寬。這個特點使得其制作的器件具有擊穿電壓高、電流密度大、工作溫度高等優點，因此在大功率、高溫電力電子器件應用方面性能遠優于傳統的硅和砷化鎵基電子器件。其應用范圍將涵括電腦，手機，數碼相機，電源，電機，UPS，電動汽車，基站，電廠等。LED芯片采用硅來作為氮化鎵電子器件的襯底已經是國際共識，主要是由于硅具有其他襯底材料無可比擬的成本優勢。

　　LED照明燈具（燈飾）LED芯片說起硅襯底的未來，陳振博士談到：“希望通過導入硅襯底，從本質上改變LED照明燈具（燈飾）行業的技術，使得GaNLED從一個半自動化的、人力密集型的產業升級成為和現代集成電路工藝相當的高自動化、高精度的半導體行業。希望新技術同時帶來低成本和高控制精度，最終形成一個標準的制造業。