圖形化襯底(定向、納米)和半極性、非極性襯底方面，通過改進工藝、簡化流程、節省原料、降低成本等取得了很好的成果；同質外延方面，可采用多種方法生產GaN襯底，并在GaN襯底上生長GaN的LED，極大減少了MO源和高純氣體用量，有人預測可降低成本50%。
     在8英寸的Si襯底上生長GaN，全球有多家公司已投入研發，由于可用現有多余的生產設備、簡化工藝流程，將大幅度降低成本。同時，Aixtron推出以Si為襯底的外延爐，可嚴格控制彎曲度，均勻一致生產。這無疑將推動在8英寸的Si襯底上生長外延的進程，并可大幅度降低成本。
     日本礙子公司的新外延技術由于大量減少位錯密度，極大提高了LED性能指標，取得了突破性進展。
     在芯片結構方面，已出現多種新結構，較典型的是六面體發光芯片，并采用多面表面粗化技術，減少界面反射，提高光萃取率，從而提高外量子效率。三星公司采用納米級的六角棱錐結構技術做出的LED，可實現半極性、非極性生長GaN，散熱好、晶體質量好，實現了多色光的白光LED，取得突破性進展。
     據有關報道，綜合來看，許多外延、芯片的重大技術創新，大部分是針對提高性能和降低成本的關鍵技術問題，所以有機構專家分析預測，未來10年外延成本將以每年25%的速率降低。
     綜上，由于GaN外延、芯片技術的不斷突破，采用不同襯底、新結構和納米級技術等，可生長低位錯的GaN，并做出高光效LED。在沒有波長轉換時，其光效可超過300lm/W(理論值可達400lm/W)；采用熒光粉波長轉換時，光效可超過200lm/W(理論值可達263lm/W)，還可開拓單芯片發多色的新技術路線。同時，采用新技術和大圓片技術生長外延，可大幅度降低外延、芯片的制作成本。