硒化銦（Indium Selinide，InSe）
比石墨烯更好的半導體
石墨烯只有一層原子那么厚，具有無可比擬的導電性。全世界的專家們都在暢想石墨烯在未來電路中的應用。
盡管有那么多的超凡屬性，石墨烯卻沒有能隙（energy gap）。不同于普通的半導體，它的化學表現更像是金屬。這使得它在類似于晶體管的應用上前景黯淡。
這項新發現證明，硒化銦晶體可以做得只有幾層原子那么薄。它已表現出大幅優于硅的電子屬性。而硅是今天的電子元器件（尤其是芯片）所普遍使用的材料。
更重要的是，跟石墨烯不同，硒化銦的能隙相當大。這使得它做成的晶體管可以很容易地開啟/關閉。這一點和硅很像，使硒化銦成為硅的理想替代材料。人們可以用它來制作下一代超高速的電子設備。
石墨烯之父：它是硅和石墨烯中間的理想材料
當下，科學家們很喜歡把石墨烯和其他優秀的材料結合起來。讓石墨烯的非凡屬性和其他材料的特點進行互補。這往往產生令人興奮的科學發現，并會以我們想象不到的方式應用在實際問題中。
“石墨烯之父 ”Sir Andre Geim 說：
“超薄的硒化銦，是處于硅和石墨烯之間的理想材料。類似于石墨烯，硒化銦具有天然超薄的形態，使真正納米級的工藝成為可能。又和硅類似，硒化銦是優秀的半導體。”
Sir Andre Geim
由于發現了石墨烯，Sir Andre Geim 獲得了諾貝爾物理學獎。他同時也是這項研究的作者之一。他認為，這項硒化銦的發現會對未來電子產業產生巨大沖擊。
硒化銦是國立石墨烯研究院的最新成果
曼徹斯特大學的研究人員們需要克服一項首要問題，才能制作出高質量的硒化銦裝置。由于太薄，硒化銦會快速被氧氣和空氣中的水分分解。為避免這種情況，硒化銦裝置必須在氬氣中制作。而這利用了曼大國立石墨烯研究院開發的技術。
這使得世界上第一片高質量、原子厚度的硒化銦薄膜被生產出來。它在室溫下的電子遷移率達到 2，000 cm2/Vs，遠遠超過了硅。在更低溫度下，這項指標還會成倍増長。
當前的實驗中，研究者們制作出的硒化銦長寬有幾微米，大約相當于一根頭發絲的橫截面那么大。研究人員們相信，只要結合現有的制作大面積石墨烯的技術，硒化銦的商業化生產指日可待。
國立石墨烯研究院負責人，同時也是這篇論文作者之一的 Vladimir Falko 教授說：
“國立石墨烯研究院開發的技術，能把材料的原子層進行分離，生產出高質量二維晶體。這項技術為開發應用于光電子學的新材料，提供了廣闊的前景。我們一直在尋找新的層狀材料做試驗。”
超薄硒化銦，是飛速增長的的二維晶體大家族中的一員。這些二維晶體，根據結構、厚度和化學成分的不同，有許多有用的屬性。對石墨烯和二維材料的研究，溝通了科學和工程技術。在今天，這是材料科學發展最快的領域。
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