圖片來源：nature雜志

據介紹，為了實現高分辨率和微小尺寸的Micro LED，研究人員采用了基于二維材料的層轉移（2D materials based layer transfer (2DLT)）技術。

該技術允許通過遠程外延（remote epitaxy）或范德華（van der Waals epitaxy）外延生長、機械釋放和堆疊LED等制作工序，在二維材料涂層襯底上生長近亞微米厚度的RGB LED。

研究人員特別指出，僅有9μm的堆疊結構高度是打造高陣列密度Micro LED的關鍵。

研究團隊還在論文中展示了藍光Micro LED與硅膜晶體管的垂直集成，適配于AM主動矩陣式驅動應用。研究團隊表示，本次研究為制造AR/VR用全彩Micro LED顯示器提供了新路線，同時也為更廣泛的三維集成設備提供了通用平臺。（LEDinside Irving編譯）

論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41586-022-05612-1