專利摘要顯示,一種微型 LED,包括:第一類型半導體層;形成在所述第一類型半導體層上的第一類型帽蓋層;和形成在所述第一類型帽蓋層上的發光層;其中,所述第一類型半導體層包括臺面結構、溝槽、和與所述臺面結構分離開的離子注入圍欄;所述離子注入圍欄圍繞所述溝槽形成,并且所述溝槽圍繞所述臺面結構形成;其中,所述第一離子注入圍欄的電阻高于所述第一臺面結構的電阻。
本文源自:金融界
專利摘要顯示,一種微型 LED,包括:第一類型半導體層;形成在所述第一類型半導體層上的第一類型帽蓋層;和形成在所述第一類型帽蓋層上的發光層;其中,所述第一類型半導體層包括臺面結構、溝槽、和與所述臺面結構分離開的離子注入圍欄;所述離子注入圍欄圍繞所述溝槽形成,并且所述溝槽圍繞所述臺面結構形成;其中,所述第一離子注入圍欄的電阻高于所述第一臺面結構的電阻。
本文源自:金融界