專利摘要顯示，本申請公開了一種垂直LED芯片結構及制作方法，包括導電襯底；所述導電襯底下設有背面金屬層；所述導電襯底上設有鍵合金屬層；所述鍵合金屬層上設有反射鍵合金屬層；所述反射鍵合金屬層上有歐姆接觸金屬層；所述歐姆接觸金屬層上設有鈍化絕緣層；所述鈍化絕緣層上設有外延材料層；所述外延材料層上設有絕緣保護層；所述絕緣保護層上設有金屬手指及焊盤電極本申請利用巨量轉移技術和先進封裝技術，用micro LED芯片制作傳統尺寸的垂直LED芯片，成本低，不遮光，出光效率高，切焊線過程中對芯片無損傷；同時垂直LED芯片可集成更多的功能性器件；很好的解決了現有技術中存在的技術問題，提高了生產效率，滿足了企業生產需求，提升了企業競爭力。

本文源自：金融界

作者：情報員