圖片來源：Optics.org
據悉，銦鎵氮化物LED被認為是最高效的光源之一，但它們通常僅在低功率水平下運行。為了獲得更高亮度的光，需要增加其功率。然而，向LED增加更多功率會導致其效率下降，這種現象被稱為效率下滑。
一種克服效率下滑的方法是增加LED的面積，從而提高光輸出，但這也需要使用更大的芯片。然而隨著芯片尺寸變大，晶圓能夠生產的LED數量將減少，從而導致更高的生產成本和更大的環境影響。
對此，研究人員通過傾斜InGaN層并以不同的方向切割晶圓的方法，改變所得晶體的極化特性，從而減少了LED效率下滑。研究人員在一種廉價的藍寶石基底上制造了（1013）方向的LED, 這些LED在更高功率下擁有更好的效率表現。
這一發現為制造商開發下一代LED技術提供了創新方法，例如開發更高效、更明亮的Micro LED顯示屏，適用于移動設備和大屏幕電視中；開發更高電流密度的LED，應用于汽車和特種工業照明應用；開發更快開關速度的LED，應用在可見光通信技術和VR眼鏡中。
研究人員表示，未來的研究很可能無法找到比這更好的切割方向，特別是在藍寶石基底上。
