專利摘要顯示，本發明公開了一種低電壓 MicroLED外延片及其制備方法、MicroLED，涉及半導體光電器件領域。低電壓 MicroLED 外延片依次包括襯底、緩沖層、非摻雜 GaN 層、N 型 GaN 層、多量子阱層、電子阻擋層、P 型 GaN 層和 P 型接觸層；其中，所述P 型接觸層包括依次層疊于所述P 型 GaN 層上的多孔AlInN 層、二維 P 型 BGaN 層、AlN 粗化層、P 型 BInGaN 納米團簇層和 P 型 AlInGaN 粗化層；其中，所述多孔 AlInN 層通過 H2 刻蝕 AlInN 層制得，所述 P 型 AlInGaN 粗化層通過 N2 粗化 P 型 AlInGaN 層制得。實施本發明，可降低工作電壓，且提升光提取效率，進而提升發光效率。

本文源自：金融界