研究發現，通過在LED表面集成線偏振光學結構可以提高ER，這些結構作為模式選擇層提取橫向磁（TM）模式，實現偏振發射。然而，由于橫向電（TE）模式被吸收或反射，不可避免地導致至少50%的效率損失。這種偏振發射與發光效率之間的矛盾制約了線偏振LED的發展和應用。

針對這一難題，西安交大電信學部電子科學與工程學院先進光電所云峰教授團隊通過創新設計，成功引入了具有損耗模式回收機制的Ag/GaN超構光柵結構，解決了線偏振LED中偏振與效率之間的矛盾，實現了發光效率與偏振度的雙重提升。特殊設計的超構光柵結構采用低成本的激光干涉光刻技術制造，通過雙折射效應誘導TE/TM模式轉換，同時借助Bragg散射建立動量補償，促進被捕獲TM模式的解耦合出射。

在此基礎上，團隊進一步集成了Al納米光柵的模式選擇層，成功實現了基于氮化鎵的藍色線偏振Micro-LED。該Micro-LED在±60°的視角范圍內實現了21.92 dB的平均偏振消光比（ER），與傳統Ag反射器設計相比，其發光效率提升了2.04倍，ER提高了1.32倍。這一研究成果顯著降低了能量損失，成功突破了偏振發射光源的效率瓶頸，為應用于信息加密、未來顯示、光通信及醫學等領域的下一代高效低成本光電器件開辟了道路。

高效線偏振微型發光二極管的性能

該成果以《集成雙功能超構光柵的高效線偏振微型發光二極管》（High-efficient and linearly polarized light emission of Micro-LED integrated with double-functioned meta-grating）為題，在國際權威期刊《納米快報》（Nano Letters）上發表。

電子學院云峰教授、李峰教授及田振寰副教授為論文共同通訊作者。西安交通大學為第一作者單位和唯一通訊作者單位。該工作得到了國家自然科學基金項目的支持，論文的表征及測試工作得到了賈春林科學家工作室研究人員的支持。（來源：西安交大）