東芝的白色LED雖然采用藍色LED芯片與熒光體組合的普通構成，但其藍色LED芯片頗具特點。藍色LED芯片一般通過在藍寶石基板上層積GaN類半導體來制造。而東芝為了降低成本，采用在硅基板上形成GaN類半導體的技術。該技術通常稱為“GaN on Si”。東芝在形成GaN結晶后，去除吸收光的硅基板，作為藍色LED芯片來使用。
東芝采用GaN on Si技術是因為硅基板比藍寶石基板容易增大口徑，更容易提高生產效率。用于制造藍色LED的藍寶石基板，其口徑最大也不過150mm（6英寸）。而硅基板則可使用口徑為200mm（8英寸）的產品。東芝已開始利用口徑為8英寸的硅基板量產藍色LED芯片。
硅基板產品雖然在成本方面具有優勢，但與藍寶石相比，硅與GaN類半導體之間的晶格常數差及膨脹系數差較大，不容易獲得高品質的GaN類半導體結晶。使用GaN on Si技術時，能夠減輕硅與GaN類半導體不匹配問題的緩沖層不可或缺。于是，為了實現特性出色的緩沖層，東芝與美國普瑞光電（Bridgelux）展開合作，并從2012年開始量產白色LED。2013年4月，東芝收購了普瑞光電的LED開發部門。
除LED外，東芝還打算將GaN on Si技術用于功率元件。該公司雖然在GaN功率元件方面未推出產品，但一直在做相關研發。
因此，加賀東芝電子擴充生產生設備很可能是為量產GaN功率元件做準備。加賀東芝電子原本就是硅功率MOSFET及IGBT的生產基地，擁有與功率元件相關的經驗。
東芝將來量產GaN功率元件時，其優勢就在于可使用8英寸基板。目前涉足GaN功率元件的企業使用口徑最大也不過為6英寸的硅基板。東芝認為，通過基板增大為8英寸，不僅可提高生產效率，而且在GaN功率元件領域還可比其他競爭公司更具成本優勢。
