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                    2014年國產LED芯片迎“翻身”良機

                    字體變大  字體變小 發布日期:2014-08-20  來源:新世紀  瀏覽次數:584
                    核心提示:綜合來說,2014年面對LED市場的“饑渴”需求,國產LED企業迎來了擺脫“配角”標簽的最佳機遇。
                         產業的不斷滲透下,LED芯片的市場需求量也是不持續上揚。今年7月份,華燦光電和聚建光電先后發布了2014年上半年業績報告,前者凈利潤預增185%-215%,后者凈利潤預增247%-270%。而且市場需求仍在擴大,預計下半年凈收利潤還會上升。

                    就在8月6日,東芝計劃投資300億~500億日元大舉進軍白色LED業務,目的是通過擴大生產規模來提高市場份額。在全球LED芯片銷售排行上,日本日亞化學、美國CREE以及德國OSRAM移居前三甲,前十名中僅有中國臺灣晶電與光磊榜上有名,大陸產商無一席之地。

                    今年,LED芯片市場已一掃前幾年低迷狀態,持續需求旺盛的態勢讓國產芯片迎來“翻身”的最佳良機。但是在面對外來品牌在本土LED芯片市場咄咄逼人的高姿態,國產LED芯片生產商以何反擊、如何“翻身”呢?

                    提高技術實力是縮小差距的最好“武器”

                    眾所周知,芯片是LED的核心部件。但是中國芯片,給人的印象一直都是重產量不重質量。目前,LED芯片技術的發展關鍵在于襯底材料和晶元生長技術,F在市場上的主流襯底材料是藍寶石和碳化硅,但是這兩種材料價格都非常昂貴,且都被外國大企業所壟斷。

                    為了突破國際專利壁壘,中國研究機構和LED企業已經以硅為襯底材料著手研究。因為硅襯底的價格比藍寶石和碳化硅襯底便宜得多,可制作出尺寸更大的襯底,提高MOCVD的利用率,從而提高管晶產率。

                    但問題是,硅與氮化鎵的高質量結合是LED芯片的技術難點,兩者的晶格常數和熱膨脹系數的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術問題長期以來阻礙著中國芯片領域的發展。  除了晶能光電在2011年成功實現2英寸硅襯底氮化鎵基大功率LED芯片的量產外,中國芯片企業在硅襯底氮化鎵基LED研究上并無大的突破。

                    但是反觀國外企業,歐司朗、美國普瑞、日本莎姆克等一流企業已經在大尺寸硅襯底氮化鎵基LED研究上取得重大突破。其中,在2011年,美國普瑞在8英寸硅襯底上研發出高光效氮化鎵基LED,取得了與藍寶石及碳化硅襯底上頂尖水平的LED器件性能相媲美的發光效率160lm/W;在2012年,歐司朗成功生產出6英寸硅襯底氮化鎵基LED。

                    因此,中國LED企業要想在LED市場擴張自己的一畝三分地,提高自身實力是當務之急。

                    抓住擴產機遇,加快LED品牌布局

                    近年來,LED企業借助各種機會進行品牌宣傳的意識越來越強烈,LED照明跨入了打造“品牌”的時代。而品牌的建立,并非是靠一個策劃、一個包裝、一個概念等捷徑一蹴而就,而需要長期的堅持,堅持品質,堅持服務。

                    為了更好樹立企業品牌形象以及宣傳介紹品牌產品,照明企業建立起直營專賣店、LED照明體驗廳等,通過這些載體更加直觀、實在的宣傳自己LED照明產品。特別是在各大企業紛紛布局渠道的時代,經銷商也更愿意選擇有品牌、質量好、口碑好的產品,品牌也成為企業能否順利打開代理市場的重要因素之一。但品牌建設是一個持久的過程,猶如釀酒,這也需要LED照明企業在品牌的建設上長久持續的加大力度。

                    綜合來說,2014年面對LED市場的“饑渴”需求,國產LED企業迎來了擺脫“配角”標簽的最佳機遇。如能在技術上更進一步,無疑對品牌知名度的建立將起到重大推動作用。那時,國產LED芯片在自家地盤“翻身做主”也絕非天方夜譚!

                     
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