大部分主要的LED企業都積極地申請硅基GaN技術相關專利，少數將其作為核心策略和技術路線。Yole預測，相對于LED產業，該技術將在功率電子和RF應用中大放異彩，因為其成本低而且與CMOS的兼容性好。

 

     硅基GaN襯底面臨一些技術挑戰。GaN和硅之間的巨大晶格失配導致了外延層的缺陷密度太高。而且兩者之間的巨大熱膨脹系數會導致它在從生長溫度冷卻至室溫時產生大的拉伸應力，這會引起薄膜的破裂和晶圓的下凹彎曲。

 

　　Yole的報告挑選了解決上述挑戰的專利，并深入分析了專利持有人及其專利技術，但不涉及有源層或GaN器件的專利。

 

　　眼下，這些專利技術表面關鍵材料問題已經取得了顯著的進步，比如減少位錯密度和應力管理以防止晶圓出現破碎和翹曲。Yole Développement認為硅基GaN IP已足夠先進使其開始大批量生產。

 

     超過50家公司和科研機構涉足硅基GaN IP，而大部分主要的GaN廠商在專利申請方面名列前茅。豐田合成、東芝、松下、三菱、Nitronex、Soitec和Azzurro均勻很強的IP組合。但三星、Dowa、LG、夏普和NGK Insulators正在成為硅基GaN IP格局的主要力量。Soitec和Sumitomo 在GaN層轉移到硅襯底方面處于領先地位。

 

     目前，僅有少數廠商在銷售外延片或模板，能夠商用硅基GaN器件的廠商鳳毛麟角。不同于少數被注意到的IP整合(Nitronex 與International Rectifier、東芝與普瑞光電、Soitec與Sumitomo以及Macom (Nitronex)與IQE)，硅基GaN IP還沒有被企業廣泛用于抬升授權談判和供應合作。截至目前，專利訴訟也少之又少。但現有的IP覆蓋了這些技術挑戰的方方面面，最近五年主要的GaN廠商申請了大量關鍵專利(東芝、三星、LG、夏普、NGK、Sumitomo、Soitec、Azzurro以及Dowa)。而且，隨著它在RF和功率器件領域的發展，硅基GaN行業開始成形，因此未來三年IP戰將全面打響。