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                    Micro LED 揭顯示技術新頁,多方聯盟推動商業化量產

                    字體變大  字體變小 發布日期:2016-10-10  來源:Technews科技新報  瀏覽次數:1431
                    核心提示:LED 在傳統液晶顯示器(LCD)中做為背光應用,由于須通過偏光片、液晶、彩色濾光片等層層轉換,以致效率耗損僅剩不到 8 %,因而
                         LED 在傳統液晶顯示器(LCD)中做為背光應用,由于須通過偏光片、液晶、彩色濾光片等層層轉換,以致效率耗損僅剩不到 8 %,因而促使新興顯示技術崛起。
                     
                        其中,次世代顯示技術微發光二極管(Micro LED)潛力備受看好,有望改善顯示效率問題并開啟無限應用空間,未來也將顛覆既有產業鏈結構,藉由跨領域技術整合加以推動實現。對臺廠來說挑戰雖大,卻也是打破產業成長僵局的契機。
                     
                        臺灣具產業優勢,發展 Micro LED 技術創造附加價值
                     
                        傳統 LCD 采用冷陰極管(CCFL)或 LED 做為背光源,自有機發光二極管(OLED)技術出現后,顯示技術開始轉向自發光型態發展,接著量子點發光二極管(QLED)、Micro LED 技術也相繼崛起。
                     
                        TrendForce集邦科技旗下綠能事業處LEDinside 研究協理儲于超表示,韓系廠商將絕大部分資源投入開發 OLED 及 QLED 技術,臺灣則擁有成熟完整的產業供應鏈包括 LED、面板、半導體等,若積極發展 Micro LED 技術,進展有望比其他國家更為快速。
                     
                        Micro LED 顯示技術若能實現,將大幅提升光效率、降低整體結構厚度,而制程也會有所簡化。儲于超以 55 吋 4K 電視為例,說明其像素尺寸為 200 µm x 200 µm,LED 采用 3030 封裝規格,即 3,000 µm x 3,000 µm,兩者面積相差 225 倍,而在 LED 點光源轉換至面光源的過程當中,會造成效率大量耗損。在 Micro LED 顯示技術下,LED 微縮至 50 µm x 50 µm 小于像素尺寸,可接合在 TFT 或 CMOS 基板上,實現每一點畫素(pixel)尋址控制及單點驅動發光。
                     
                        儲于超認為,Micro LED 除了顯示應用外,還能創造更多附加價值,發展 OLED 或 TFT-LCD 難以進入的利基應用市場。LEDinside 依據市面上相關產品尺寸及 ppi 要求,推算出 LED 尺寸及像素數量,反映 LED 尺寸愈大、像素數量愈少的應用,實現商業化量產的速度可能相對較快。
                     
                    ▲ Micro LED 應用商業化量產速度(圖片來源:LEDinside)
                     
                        技術課題為關鍵,巨量轉移講求高良率與精準度
                     
                        為了開發更好的顯示技術解決方案,臺灣半導體公司錼創科技(PlayNitride)成立兩年以來,也積極開發 Micro LED 技術,并以“PixeLED”為名申請專利。
                     
                        該公司執行長李允立說明,Retina 顯示器具有 400 ppi 高像素密度,而錼創所開發的 Micro LED 技術,理想上可達 1,500 ppi 以上甚至 2,000 ppi,能夠因應虛擬現實(VR)顯示器需求;亮度超過 5,000 nits,使畫面在陽光下依然清晰可視;能耗僅占傳統 LCD 10 %,也比 OLED 能耗低了一半。其他包括 LED 尺寸可微縮到 10 µm 以下、快速切換 on/off,色域范圍比 NTSC 標準高近 20 %,以及實現可撓曲等特點。
                     
                        錼創主要研發范疇涵蓋磊晶、微小芯片到巨量轉移(Mass Transfer)技術,其中又以巨量轉移技術最具挑戰。
                     
                        李允立強調,巨量轉移技術講求高良率及轉移率,尤其對于顯示行業來說,轉移良率達 99 %仍然不夠,必須達到 99.9999 %(即“六個 9”)的程度才算達標,而每顆芯片的精準度又必須控制在正負 0.5 µm 以內。正因為如此,李允立將巨量轉移技術視為“藝術”(art),而并非以“科學”(science)角度看待。
                     
                        不僅巨量轉移技術有待突破,李允立也提出 LED 晶圓均勻度的重要性,期望達到無微粒(particle)、不必分 bin 的程度。此外,修復壞點、開發新基板、設計電路驅動、檢測等,都是相當重要的技術課題。
                     
                        跨領域串聯共同作戰,Micro Assembly 聯盟即將成軍
                     
                        臺灣工研院也同樣專注發展 Micro LED 及巨量轉移技術,從 2009 年起經過多年研發,直到 2013 年出現技術突破,做到主動驅動、分辨率達 VGA(640 x 360)等級,LED 尺寸縮至 10 µm、間距 12.8 µm,近年來更持續提升分辨率,現單色已達 qHD(960 x 540)。彩色 RGB Micro LED 方面,目前分辨率達 100 x 100,LED 尺寸 10 µm、間距 19.2 µm。
                     
                        臺灣工研院電光所微組裝系統部經理方彥翔博士指出,Micro LED 最大精神在于巨量轉移,無論哪種應用都需一次進行上萬顆轉移,精準度要求相當嚴格。
                     
                        臺灣工研院采用物理性轉移方式,將所開發的巨量轉移模塊與量產設備 FC bonder 整合,現階段達到單色 Micro LED 每次轉移 54 萬顆,彩色 Micro LED 每次轉移 1 萬顆,而過去三色轉移良率不到 90 %,現在均已提升至 99 %以上。
                     
                        在物聯網(IoT)發展趨勢下,未來穿戴式裝置勢必結合更多傳感器,對空間需求也更為提高,而 Micro LED 間距足以整合許多組件,能在穿戴式裝置、智能型手機或其他應用中發揮優勢,而這也是工研院正著重發展的“微組裝”(Micro Assembly)技術,并計劃于 2016 年 10 月中旬成立 Micro Assembly 聯盟“CIMS”(Consortium for Intelligent Micro Assembly System)。
                     
                        方彥翔表示,Micro LED 和微組裝技術相當復雜,無法靠單一產業實現,因此必須跨領域串聯半導體、面板、LED、系統整合等廠商,共同建立跨領域產業交流平臺,將臺灣打造成全球 Micro Assembly 產業鏈供貨重鎮。CIMS 將結合產官學研資源,不僅提供技術發展趨勢及應用市場最新信息,也提供快速試制服務、推動開發解決方案等。
                     
                        Micro LED 應用想象空間廣,結合各產業領域技術可望推動發展,加速實現各種可能應用。至于未來 Micro LED 能否成為主流顯示技術,將取決于技術成熟速度,以及成本是否具競爭力。這場顯示技術競逐賽,就此展開。
                     
                    關鍵詞: LED
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