暨2018國際第三代半導體論壇(IFWS 2018)
15th China International Forum on Solid State Lighting
& 2018 International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
中國國際半導體照明論壇是SSL國際系列論壇在中國地區的年度盛會,SSLCHINA是半導體照明領域最具規模、參與度最高、口碑最好的全球性專業論壇。SSL國際系列論壇以促進半導體照明技術和應用的國際交流與合作,引領半導體照明產業的發展方向為活動宗旨,全面覆蓋行業工藝裝備、原材料,技術、產品與應用的創新發展,提供全球范圍的全產業鏈合作平臺,致力于拓展業界所關注的目標市場,以專業精神恒久締造企業的商業價值。在過去的十四年里,SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內的全球最頂級專家陣容,呈現了超過1600個專業報告,累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾24000人次。
國際第三代半導體論壇是第三代半導體產業在中國地區的年度盛會,是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作,引領第三代半導體新興產業的發展方向為活動宗旨,全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展,聯結產、學、研、用,提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。在過去的兩年時間里,IFWS延請寬禁帶半導體領域國際頂級學術權威分享最前沿技術動態,已發展成具有業界影響力的綜合性專業論壇。
自2016年開始,中國國際半導體論壇與國際第三代半導體論壇同臺匯力,相映生輝,放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
論壇長期與IEEE合作。投稿的優質論文,會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發表,IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。選出的優秀論文將有機會推薦給合作期刊發表。
會議時間:2018年10月23-25日
會議地點:中國 · 廣東 · 深圳會展中心
主辦單位
國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)
深圳市龍華區政府
大會主席
曹健林——國際半導體照明聯盟(ISA)主席、國家科學技術部原副部長
中村修二——美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授、2014年諾貝爾物理學獎得主
Umesh Mishra——美國國家工程院院士、加州大學教授、Transphorm聯合創始人
技術程序委員會
主席
張榮
聯合主席
劉明、李晉閩、江風益、張國義、沈波、邱宇峰、盛況、張波、徐科、Kevin J. CHEN、張國旗、Yifeng WU
分會主席
江風益、劉國旭、華桂潮、馮葉、楊其長、賀冬仙、羅明、瞿佳、王軍喜、盛況、徐現剛、徐科、張波、Kevin J. CHEN、蔡樹軍、張乃千、張國旗、陸國權、Braham FERREIRA、劉明、曾一平、李世瑋、沈波
分會委員
云峰、伊曉燕、郭偉玲、張軍明、宋宏偉、泮進明、劉鷹、徐志剛、熊大曦、林燕丹、牟同升、蔡建奇、郭浩中、康俊勇、陸海、柏松、陳小龍、劉揚、畢文剛、張韻、敖金平、陶國橋、王來利、寧圃奇、王新強、陶緒堂、王宏興、杜志游、王志越、修向前、趙麗霞、楊道國、羅小兵、樊學軍、郭太良、廖良生、徐征、劉召軍、劉建利、閆春輝、馬松林、楊煜、童敏、莫慶偉、張國華、孫國勝、徐虹
會議征文方向
S201 LED芯片、封裝與模組技術
白光LED過去十年的快速發展一直圍繞著對光效和成本的不懈追求。經過LED照明的市場起伏與行業洗牌,在進入“十三五“后的新經濟、新動能環境下,LED產業又有哪些發展機遇?芯片與封裝制造技術又有哪些最新進展?倒裝LED芯片進入成熟期,它的性能優勢與價格調整,不僅影響到芯片的市場趨勢,更影響到封裝、模組的技術走向,倒裝芯片的廣泛應用,推動了芯片級封裝(CSP)以及大功率、高光密度FC-COB的技術革命,改變了傳統支架封裝與高功率陶瓷封裝的兩頭為大的格局。硅基LED獲國家科技發明一等獎后,再次成為行業熱題,這又將如何改變芯片與封裝應用的市場前景?
LED芯片工藝、封裝材料、熒光粉涂覆、透鏡設計、晶圓級封裝、基于高壓交流驅動的集成光引擎(DOB)等上中游技術都將呈現出怎樣的最新進展和發展趨勢?上中游技術革新將在未來的產業格局變遷中發揮怎樣的作用?敬請關注芯片、封裝與模組技術的最新發展動向。
征文方向:
-LED芯片制造技術新進展
-高光效紫外、藍、青、綠、黃、橙、紅光、紅外芯片技術
-正裝芯片、倒裝芯片和垂直芯片技術
-LED封裝材料(基板,固晶材料,硅膠,熒光粉等)的新發展
-熒光粉、量子點技術與涂敷新工藝
-透鏡設計與光學模塊
-芯片級與晶圓級封裝技術
-多芯片封裝及COB光源的設計與優化
-高品質、全光譜光源新發展
-用于高良率、低色容差的先進封裝工藝與制造技術
-用于新一代應用的LED光源模組、光引擎
S202 驅動與智能控制技術
智能照明產品日益融入智能家居系統,從不斷改善和提升驅動的壽命以跟上LED光源長壽命的步伐,到逐漸向智能照明的方向進展,智能化、數字化、可控性無疑是LED引領的未來照明行業的發展趨勢。熱管理與高效能驅動方案、新型驅動電路與集成IC、LED調光及調色溫技術、照明產品控制解決方案、無線控制技術、智能LED照明與新型互聯技術、智能LED照明系統與傳感技術等都成為其重要議題。
征文方向:
-電源管理與高能效驅動方案
-新型驅動電路與集成IC
-LED調光及調色溫技術
-照明產品控制解決方案
-無線控制(Zigbee, Bluetooth, Wifi,Thread等)
-可見光通訊技術與應用(Lifi)
-智能照明與智能家居系統的融合與集成
-新型互聯技術
-智能LED照明系統與傳感技術
-驅動的模組化及標準化
-網絡智能照明和POE照明技術
S203 生物農業光照技術
光是農業生產中最重要的環境因子之一,在調控動植物及微生物生長發育、實現高產、優質、高效等方面具有不可替代的重要作用。在現代農業生產系統中,人工光源已廣泛應用于設施種植業、設施養殖業、設施水產與海洋捕撈、食用菌與微藻繁殖以及植保誘/驅蟲等領域。當前,圍繞LED光源在生物農業領域的基礎研究及應用研發極為活躍,有關動植物光質生物學機理及“光配方”研究、專用LED光源技術研發及其在現代農業的應用示范等均取得一定的進展,但仍有一些基礎性問題以及產業發展方向需要進一步深入研討,如生物農業“光配方”數據庫構建、高效生物農業LED光源研發、LED與現代農業產業鏈對接等。 生物農業照明分會論壇將針對當前LED現代農業應用的熱點和前沿問題,匯聚國內外同行專家進行深入研討,探討動植物光質生物學機理、“光配方”構建與專用光源裝置創制最新進展,以及LED與植物工廠、育苗工廠、溫室補光、畜禽養殖、食用菌與微藻繁殖、植保誘蟲等現代農業結合的新理念、新技術和新成果,權威解讀技術產業發展脈動,為LED在現代農業的應用指明方向。
征文方向:
- LED動植物光質生物學進展
-生物農業光配方技術
-生物農業LED光源制造技術
- LED現代農業(植物工廠、育苗工廠、溫室補光、畜禽養殖、食用菌與微藻繁殖、植保誘蟲等)應用進展
-生物農業LED節能調控技術
-農業LED光源新材料與新工藝
-農業低成本LED系統設計與優化
S204 光品質與光健康技術
隨著LED照明及其控制技術的發展,人們開始追求優良的光品質,以滿足自身對于健康和色品質的訴求。LED光源小巧、易控、可調的特點,為健康而舒適的照明提供了機遇和挑戰。隨著應用領域的不斷擴大,如何針對室內外不同的應用場合、人的個性化需求,通過優化LED光源及照明方式,提供健康而舒適的照明環境和符合醫療要求的光品質,是當前面臨的重要挑戰。
近年來,光照對人體健康的影響機制得到深入的研究,新型LED器件也發展迅猛,因此LED技術在生活和醫療中的應用日益增多,這些領域成為LED技術應用的新藍海。誠然,該技術在視覺發育和視覺生理等方面的影響還需要進一步的探討,且設備研究和開發中的很多問題也亟待行業專家共同解決。同時,色品質作為在一定的色彩保真度下,衡量喜好性、鮮艷度、自然度、吸引程度、色差等視覺感知的評價標準,也正逐漸得到重視和應用。
征文方向:
- 光輻射損傷和健康調理的光生物學研究
- 光對視覺健康影響的機理研究
- 面向健康和醫療應用的新型LED光源研究
- 健康照明的光環境設計
- LED健康照明的調控技術
- LED健康照明光環境質量評價及應用
- 健康照明和光醫療的評價和標準化
- LED光療的臨床試驗研究
- LED在健康照明及光醫療中的典型應用
- 色品質測量,如顏色保真度,色域,色域形狀,白度
- 建立在不同應用場景下評價視覺舒適度的色品質標準
S205 固態紫外器件技術
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢,展現出巨大的應用潛力。本分會將重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料,高效量子結構設計及外延,以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。分會還將涵蓋紫外器件的先進封裝材料及技術,包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。分會面向全球廣泛征集優秀研究成果,并將邀請多名國際知名與家參加本次會議,力圖全面呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。
征文方向:
- AlN和其他紫外光電器件用新型襯底材料
- 紫外發光與探測材料的設計和外延生長
- 高Al組分AlGaN的p型摻雜
- 高效紫外發光器件
- 高靈敏度紫外探測與成像器件
- 紫外光源封裝與模組的光提取、熱管理及可靠性
- 紫外光源與探測器應用新進展
W201 碳化硅材料與電力電子器件技術
碳化硅電力電子器件具備更高的效率、更高的開關頻率和更高的工作溫度,在新能源發電、電動汽車等一些重要領域展現出其巨大的應用潛力。碳化硅電力電子器件的持續進步將對電力電子技術領域的發展起到重要的推動作用。本分會的主題涵蓋碳化硅襯底、同質外延和電力電子器件技術。分會廣泛征集優秀研究成果,將邀請國內外知名專家參加本次會議,充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術的最新進展。
征文方向:
- SiC晶體生長和加工
- SiC同質外延
- SiC材料缺陷控制與表征方法
- SiC電力電子芯片結構設計與仿真
- SiC電力電子芯片工藝
- SiC電力電子芯片可靠性
- SiC電力電子芯片測試和表征
- SiC電力電子芯片的其他新技術
W202 氮化鎵材料與電力電子器件技術
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢,并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容,在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。本分會的主題涵蓋大尺寸襯底上橫向或縱向氮化鎵器件外延結構與生長、氮化鎵電力電子器件的新結構與新工藝開發、高效高速氮化鎵功率模塊設計與制造,氮化鎵功率應用與可靠性等。分會將邀請國內外知名專家參加本次會議,呈現氮化鎵電力電子器件研究與應用的最新進展。
征文方向:
-大尺寸襯底上GaN基異質結構外延生長和缺陷、應力控制
- GaN基電力電子器件技術
- GaN襯底材料和厚膜同質外延
- GaN器件封裝技術
- GaN電力電子應用
- GaN電力電子技術的市場研究
- LED光電材料
W203 第三代半導體微波射頻技術
第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點,在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產業邁向新的高地。本分會的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信中的應用等各方面。擬邀請國內外知名專家參加會議,呈現第三代半導體微波器件及其應用的最新進展。
征文方向:
- 高性能微波GaN器件技術
- 用于高性能微波器件的GaN外延技術
- GaN微波集成電路技術
- GaN微波器件及工藝的可靠性
- GaN微波器件的大信號等效電路模型與物理模型
- GaN器件和電路在移動通信中的應用
W204 功率器件封裝與應用
寬禁帶半導體電力電子器件近年來不斷獲得技術的突破,具備廣泛的市場應用前景。這類器件具備更高的效率、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優勢,在新能源發電、電動汽車、充電樁、電力轉換及管理系統和工業電機領域等已展現出其巨大的應用潛力。因此,針對寬禁帶半導體電力電子器件的封裝及可靠性技術是推動其快速市場化并廣泛應用的關鍵。本分會的主題涵蓋寬禁帶半導體電力電子器件封裝設計、工藝、關鍵材料與可靠性評價等方面。分會廣泛征集優秀研究成果,將邀請國內外知名專家參加本次會議,充分展示寬禁帶半導體電力電子器件封裝技術及其可靠性評價的最新進展。
征文方向:
- SiC/GaN電力電子器件封裝設計與仿真
- SiC/GaN電力電子器件封裝集成
- SiC/GaN電力電子器件封裝散熱
- SiC/GaN電力電子器件封裝材料與工藝
- SiC/GaN電力電子器件封裝可靠性
- SiC/GaN電力電子器件驅動保護
- SiC/GaN電力電子器件測試與監測
- SiC/GaN電力電子器件應用
- SiC/GaN電力電子器件封裝其他新技術
W205 超寬禁帶半導體技術
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用,近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性,在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。本分會著重研討超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用,旨在搭建產業、學術、資本的高質量交流平臺,共同探討超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新趨勢,積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。
征文方向:
- 超寬禁帶半導體材料關鍵設備制造技術
- 超寬禁帶半導體材料制備技術及其物性研究
- 超寬禁帶半導體材料電力電子器件技術
- 超寬禁帶半導體材料光電子器件技術
- 其他新型半導體材料物性研究與應用技術
S206/W206 半導體裝備與智能制造
隨著高頻、大功率微電子器件和高光效更短波長光電子器件需求的增加和進一步提高器件性能的要求, III族氮化物襯底材料制備裝備、新型模板材料制備裝備、高溫外延材料裝備、新型芯片、封裝制備裝備以及新型檢測設備,成為第三代半導體研究和產業高度關注的方向之一,也是新型半導體材料及器件技術發展的基礎和支撐。
同時,分會也將探討“中國制造2025”為半導體裝備技術帶來的新機遇,并圍繞智能制造、工業4.0、智能機器人、智能工廠、智能產線、智慧物流、MES系統等內容展開熱點話題交流與實際解決方案。
征文方向:
- 第三代半導體(含固態照明)外延材料及襯底相關裝備技術
- 第三代半導體器件制備相關裝備
- 第三代半導體(含固態照明)封裝相關裝備技術
- 第三代半導體(含固態照明)材料分析測試相關裝備技術
- 第三代半導體器件及應用產品相關檢測裝備
- 其它和第三代半導體技術相關的裝備
S207/W207 可靠性與熱管理技術
芯片結溫一直是制約半導體器件功能和壽命的重要因素,相關的熱管理技術與可靠性分析已經從單個產品朝整個系統的面向發展。在這一過程中新型散熱材料、熱管理技術、面向可靠性設計、故障數據與失效分析、制造過程中的控制及可靠性篩選、壽命加速老化測試方法、失效模式與仿真模擬等技術的進步等都影響整個系統的可靠性。
征文方向:
- 新型散熱材料
- 熱管理技術
- 面向可靠性設計
- 故障診斷與預測
- 失效檢測與失效分析
- 壽命加速老化測試和預測方法
- 失效模式與仿真模擬
- 制造過程中的控制及可靠性篩選
S208/W208 Micro-LED與其他新型顯示技術
半導體發光器件是顯示技術與照明技術的共同基礎。近年來,隨著各種半導體發光材料和器件的不斷發展,新型顯示技術與照明技術的結合更加緊密,為未來顯示與照明技術的交叉和多元化應用奠定了基礎。從器件角度看,新型顯示與照明技術所對應的發光器件包括:Micro-LED、有機發光二極管(OLEDs)、量子點發光二極管(QLEDs)、半導體激光器、鈣鈦礦發光二極管(PerLEDs),以及其他新型半導體發光器件。其中,Micro-LED近年來發展尤為迅速。這些器件涉及的共性關鍵技術包括:發光效率、工作電壓、顯色指數、壽命和可靠性、散熱技術等。從系統應用看,新型顯示與照明技術還涉及到新型基板、電路驅動與控制、面板制造工藝、激光技術等,對新型顯示與照明技術的發展起著重要的作用。
征文方向:
- Micro-LED 材料、器件和應用技術
- OLED材料、器件和應用技術
- 激光顯示與照明技術
- QLED材料、器件和應用技術
- PerLED及其他新型發光器件
-發光器件和應用的可靠性技術
-顯示用先進成膜技術
-柔性基板技術和封裝技術
-透明導電材料與技術
-新型顯示用電路驅動與控制技術
征文流程
1. 作者提交符合APA撰寫規范并符合模板排版格式的論文全文
2. 組委會通知作者投稿錄用方式:口頭報告、POSTER、入刊會議論文集
3. 作者依據組委會的錄用通知準備材料:
1)口頭報告:作者需準備演示文件(PPT/PDF);
2)POSTER:作者需準備POSTER文件 (組委會將對POSTER進行編號并告知作者。作者攜帶制作好的POSTER至會議舉辦地點并按照編號在POSTER展示區域自行張貼)
3)入刊會議論文集:按照專家評審意見修改論文;如需收入IEEE xplore,必須提交版權聲明。
注:
1)官方網站(和http://www.sslchina.org/en/paper)提供模板下載,請作者務必按照相應模板和時間要求準備材料,以便順利通過論文審核。
2)優質論文會被遴選在IEEE Xplore Digital Library發表,IEEE是EI檢索系統的合作數據庫。
征文要求
1.基本要求:
1) 尚未在國內外公開刊物或其他學術會議上發表過的論文。
2) 主題突出,內容層次分明,數據準確,論述嚴謹,結論明確,采用法定計量單位。
3) 按照組委會提供的模板排版全文,論文全文格式要求為WORD,內容不超過4頁。
2.語言要求:
1) 作者須提交文體規范的英文論文;
2) 演講語言可以使用中文或英文,但必須用英文演示(PPT或PDF文檔)。
注:含有商業性宣傳內容的論文,不予安排在論壇演講。
重要期限及提交方式
1. 論文全文提交截止日期:2018年9月15日
2. 論文全文錄用通知:2018年9月30日
3. 口頭報告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日:2018年10月15日
組委會聯系方式
白璐(Lu BAI)
電話:010-82387600-602
郵箱:papersubmission@china-led.net
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