LED作為一種主動的自發光裝置已經存在了半個多世紀。由于其低功耗，低工作電壓，高照度，長工作壽命和穩定的性能，使其成為一種非常流行的應用。隨著LED技術的發展和各種行業對微集成的不斷增長的應用需求，Micro-LED陣列器件應運而生。通過進一步減小LED芯片的尺寸，在毫米的范圍內，可以制備數百或數千個Micro-LED以形成Micro-LED陣列。Micro-LED在許多領域具有潛在的應用，包括Micro-LED顯示器，高速并行可見光通信，高壓照明芯片等。
在顯示領域，與LCD和OLED顯示技術相比，Micro-LED顯示器具有發光效率高，亮度高，對比度高，響應時間短的優點。但由于散熱，老化等問題，導致顯示器成像缺陷，影響其成像質量，因此顯示器的缺陷檢測是必要的。但目前的檢測測量仍保持在宏觀水平，不能用于精確測量微LED陣列，而且用于評估Micro-LED陣列亮度的方法集中在總亮度的測量上，未能快速檢測微LED陣列中的壞像素。因此尋找一種快速、精確的方法來檢查Micro-LED的表面亮度是非常有必要的。
圖1. Micro-LED陣列的亮度測量示意圖
目前市面上有多種測試儀器可以測試待測物的亮度，其中數碼相機亮度測試技術已然成為一個重要的研究熱點。數碼相機是通過圖像傳感器將包含著目標物亮度信息的電信號轉換成圖像的格式�？紤]到Micro-LED的尺寸微小，如圖1所示，通過將相機與顯微結合，利用標準亮度計檢測統一待測物的亮度，獲得灰度與亮度的關系，便可以通過曝光時間和拍攝到的圖片快速得到待測物的亮度。
圖2. （a）micro-LED陣列上的部分區域圖片
（b）這些芯片在不同的電壓下的平均亮度
如圖2所示，研究人員通過圖1的裝置拍攝工作狀態下Micro-LED陣列的圖片，經過自主編寫的軟件便可快速得到不同芯片的平均亮度。從圖2(b)不難看出，8號芯片的亮度僅為相同電壓下其余芯片的三分之一，因此可以確定8號芯片的工作異常。因此，該亮度測量系統既可以定量檢Micro-LED陣列的工作狀態，也可以用于快速檢測Micro-LED陣列的壞點。
圖3列出了六種不同電流下單顆Micro-LED芯片的亮度偽彩圖和亮度3D分布圖。在3D圖中，我們可以清楚地看到，在1000 uA驅動電流的情況下，更多的點位于平均亮度附近，這意味著大電流可以增加Micro-LED芯片表面亮度的均勻性。
圖3. 單顆micro-LED芯片的亮度偽彩色圖和3D分布
上述工作已經撰寫成論文《Research on a camera-based microscopic imaging system to inspect the surface luminance of the micro-LED array》，該論文也已被IEEE ACCESS雜志接收發表。
