2.5微米AMuLED顯示面板由JBD專有的混合集成技術制造。在混合集成工藝中，首先在MOCVD的襯底（例如藍寶石和GaAs）上生長超薄InGaN（用于藍色和綠色）和AlInGaP（用于紅色）外延層。然后將完整的外延層片與襯底晶片分離，并在低于350℃的溫度下粘合到CMOS晶片上。這種晶圓級外延轉移消除了對準鍵合的需要，并顯著提高了像素產量，均勻性和制造產量。
在外延層轉移之后，通過標準的光刻和蝕刻步驟將薄外延層薄片轉換成CMOS背板晶片上的發射器陣列。隨后通過光刻，鈍化和金屬化循環制作電接觸。
將晶片切割成芯片之前，在單片晶片級刻度上的發射器上制造諸如微透鏡和反射器陣列的光學元件。為了實現所需的光準直，發射器臺面直徑被設計為像素間距的三分之一左右。因此，對于2.5μm像素間距，發射器臺面直徑小于1微米，如圖1中的掃描電子顯微鏡圖像所示。
圖1：由JBD專有的混合集成技術制造的AMuLED顯示面板
除了推動單色像素發射器尺寸的界限，該公司還在探索多色微顯示器面板。通過堆疊多片空白外延層和CMOS背板晶片來制造這些多色面板。在外延層堆疊之后是III-V /化合物半導體薄膜處理序列。在不使用對準鍵合或拾取位置的情況下，可以實現期望的像素產率和均勻性。
與DLP和LCOS相比，AMuLED顯示面板不需要照明光源。III-V /氮化物化合物半導體光的發射和CMOS的數字圖像控制集成在0.5mm厚的芯片中。這種混合集成顯著降低了VR或AR設備中光學系統的復雜性。此外，與OLED微發射器相比，化合物半導體發射器提供更高的光輸出強度。
例如，JBD的2.5μm像素間距AMuLED顯示面板在625nm處提供100萬cd·m -2，比OLED微顯示器性能高出幾個數量級。此外，AMuLED顯示面板無需任何移動部件且不含有機材料，可在較寬的溫度范圍（-50℃至100℃）和惡劣的環境（振動和紫外線輻射）下使用，具有高可靠性和長壽命。
