近日，劍橋大學的分立公司Porotech推出基于公司突破性的氮化鎵（GaN）生產技術的首款應用于商業化Micro LED原生紅光LED外延片。
傳統的紅光LED主要基于磷化鋁銦鎵（AlInGaP）材料。這意味著由于載流子擴散長度大和表面重組速度高，隨著器件尺寸的減小，它們的效率會急劇下降。
而Porotech指出，其創新的生產工藝可以生產出新型的多孔GaN半導體材料。近日，該公司推出用于MicroLED應用的商業化天然紅氮化銦鎵（InGaN）LED外延片。
Porotech首席執行官兼聯合創始人朱同彤博士說：“采用GaN基材料技術的Micro LED顯示器被廣泛認為是僅有一種能夠提供足以滿足AR要求的亮度和效率的顯示器的技術。”“AR眼鏡有望有一天取代智能手機，因此開發先進材料以提高性能至關重要。
“在具有微米級像素的模塊中集成AlInGaP紅光和銦InGaN綠光和藍光LED顯示器極具挑戰性，因為AlInGaP器件中的高表面重組速度使該材料不適用于高效的MicroLED。我們的突破擴展了InGaN的發射范圍，使得紅光LED可以滿足顯示器的性能需求，同時具有縮放Micro LED半導體顯示技術所需的晶圓尺寸的能力。”
Porotech表示其產品符合現有的行業標準和流程，其專有技術既強大又靈活，足以適應不同應用的需求。Porotech的原生InGaN Micro LED在10A/cm2處具有640nm的波長，在非常小的像素和間距下，與常規的AlInGaP和顏色轉換所得的紅光相比，性能得到了改善。
今年早些時候，Porotech獲得了由劍橋大學（Cambridge Enterprise），劍橋大學的商業化部門和IQ Capital Partners共同領導的150萬英鎊的種子輪投資，另外Martlet Capital以及來自Cambridge Angels和Cambridge Capital Group的天使投資者集團也參與其中。
