據了解，該項目由上海芯元基半導體科技有限公司（以下簡稱“芯元基半導體”）全資子公司安徽芯元基半導體科技有限公司投資建設，于2020年11月簽約落戶安徽池州高新區，總投資6億元，計劃分兩個階段建設。

第一階段主要建設第三代半導體GaN基UVA及DPSS項目，總投資6億元，第二階段主要建設GaN基電子功率器件項目及Micro LED項目。

其中，第一階段具體細分為兩期建設，一期投資2億元，打造一條GaN基DPSS襯底生產線，一條UVA365nm芯片生產線，并建設配套設施等；二期投資4億元，建設行政、生產一體化廠房及配套。

資料顯示，芯元基半導體成立于2014年，是一家基于第三代半導體氮化鎵（GaN）材料自主研發、設計、生產藍寶石基GaN高端薄膜結構芯片、Mini/Micro LED芯片的公司，產品主要應用于工業固化、AR/VR、智能手表、電視、戶外顯示和特殊照明等領域。

目前，芯元基半導體已獲中微半導體、上海創徒、張江科投、張江高科、浦東科創、上海自貿區基金等一批機構投資，并在上海臨港和安徽池州建有中試和生產線。

今年年初，芯元基半導體宣布全屏點亮了適合微顯示的5μm Micro LED芯片陣列，同時成功研發出16*27微米直顯用薄膜倒裝Micro LED芯片。

7月，芯元基半導體宣布與多家顯示行業頭部廠家達成合作開發協議，公司的Chip on Carrier產品和Chip on Stamp產品已經通過客戶的研發樣品測試，并取得頭部廠家的相關采購訂單。

同月，芯元基半導體宣布突破了像素pitch小于4μm的關鍵工藝，成功點亮了0.12 inch、pitch 3.75μm的適合AR眼鏡顯示用的Micro LED芯片陣列，為提供高端AR微顯示產品奠定了基礎。

8月，芯元基半導體再次傳出在Micro LED微顯示方面取得重大研發進展，成功點亮了InGaN基紅光適合微顯示的pitch 8微米Micro LED芯片陣列。

至此，芯元基完成了微顯示芯片全彩化方案所需的GRB三種單色光源，且全部是基于InGaN的材料體系。