圖片來源：中微公司

項目進展方面，2023年7月，14萬平方米的中微公司南昌生產研發基地落成并投入使用；目前，位于滴水湖畔的中微臨港總部暨研發大樓也正在建設中，建成后占地面積約10萬平方米。未來，中微公司的生產和研發基地總面積將達到約45萬平方米。

業務進展方面，中微公司在刻蝕設備、薄膜沉積設備、MOCVD設備等領域均取得了突破。在刻蝕設備領域，憑借刻蝕設備雙臺機技術，中微公司率先提出“皮米級”加工精度概念，其刻蝕精度已經達到100“皮米”以下水平，相當于頭發絲350萬分之一的精準度，能夠滿足90%以上的刻蝕應用需求。

半導體薄膜沉積設備領域，中微公司推出了Preforma Uniflex® CW、Preforma Uniflex® HW、Preforma Uniflex® AW等多款新產品。此外，其新開發的硅和鍺硅外延EPI設備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設備等多款新產品，也會在近期投入市場驗證。

在MOCVD設備領域，中微公司自推出第一代MOCVD設備PRISMO A7®以來，不斷豐富產品線且快速升級迭代，目前在Mini LED等氮化鎵基設備領域，中微公司的市場占有率穩居前列，并持續開發用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及Micro-LED器件制造的MOCVD設備。