垂直結構LED產品采用晶元鍵合技術工藝,將生長在不導電、不導熱襯底上的外延結構轉移到導熱、導電性優異的襯底上,再采用剝離技術工藝將外延結構與生長襯底剝離,使得led器件的散熱問題得到解決，提高了器件的光電性能和可靠性, 而且垂直結構LED可以在更高的電流密度下驅動，實現單位面積芯片發光強度的大幅提升,大大減低了產品的生產和使用成本。
映瑞光電ER-CZ-1818系列垂直結構LED的優勢主要有以下幾點： 第一，在同等驅動電流密度條件下，和正裝LED芯片相比，垂直結構LED芯片發光效率大幅度提升。如圖2測試數據所示, 垂直芯片ER-CZ-1818發光效率比正裝ER-ZZ-0920高15%。 第二，垂直結構LED可采用更大的驅動電流密度。 比如ER-ZZ-0920的最大驅動電流密度為0.5A/mm^2, 而ER-CZ-1818最大驅動電流密度可達1.0 A/mm^2。在1 A/mm^2的大電流密度下，即使同時保持和ER-ZZ-0920在0.5A/mm^2電流密度條件下同等的光效,一顆ER-CZ-1818可以取代3-4顆ER-ZZ-0920，而其芯片面積只是ER-ZZ-0920的1.8倍，從而體現出映瑞光電垂直結構LED芯片的附加值。第三，垂直結構芯片軸向光比較強，封裝時只需要打一根線，更適合COB的封裝和應用。
映瑞光電垂直結構ER-CZ-1818的綜合性能可與世界知名同類產品相媲美，在電壓、漏電、光效等方面優于世界知名同類產品（見表1.）。此外，ER-CZ-1818產品采用藍寶石襯底剝離技術，剝離后的藍寶石襯底可循環使用，降低芯片工藝制造成本，在性價比上有明顯優勢。映瑞光電垂直結構ER-CZ-1818芯片將于2014年第三季度開始投放市場，可以送樣品到客戶端進行驗證，歡迎合作！
圖1.ER-CZ-1818芯片 切割裂片后的ER-CZ-1818芯片
圖2.ER-CZ-1818芯片與ER-ZZ-0920芯片的性能對比
表1. ER-CZ-1818芯片與世界知名同類產品性能對比
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芯片面積（um） |
驅動電流 （mA） |
發光強度（mW） |
150mA下電壓（V） |
方向漏電流（ uA） |
峰值電流（mA） |
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ER-CZ-1818* |
380umx380um |
150 |
>190 |
3.0-3.9 |
<1 @-8V |
350 |
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世界知名同類產品** |
380umx380um |
150 |
>90 |
3.1-4.1 |
<2 @-5V |
350 |
*封裝測試方法采用世界知名同類產品的封裝測試方法：鍍金TO39支架，裸芯封裝測試，測試采用杭州中為0.3米積分球。
**該技術參數選自世界知名同類產品規格書。
