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                    科銳SiC MOSFET助力日本快速增長的太陽能基礎建設

                    字體變大  字體變小 發布日期:2014-10-08  來源:SOSOLED網  瀏覽次數:469
                    核心提示:日本Sanix公司最新太陽能逆變器采用科銳C2M SiC MOSFET,實現系統性能、高可靠性及性價比最佳組合。
                     日本Sanix公司最新太陽能逆變器采用科銳C2M SiC MOSFET,實現系統性能、高可靠性及性價比最佳組合
                     
                         科銳(Nasdaq: CREE)宣布C2M系列1200V / 80mΩ SiC MOSFET被日本Sanix公司采用,應用在其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設計之中,以用于日本快速增長的太陽能市場商業光伏系統建設。
                     QQ截圖20141008142650
                         Sanix公司總經理Hiroshi Soga表示:“通過與科銳的合作并采用其SiC技術,Sanix公司能夠在競爭激烈的日本太陽能市場爭取更多的市場份額,科銳SiC MOSFET是Sanix公司實現高效率與散熱設計目標的關鍵。同我們原先考慮采用的Si超結MOSFET相比,SiC技術能夠降低我們逆變器電子中超過30%的損耗。除了大幅提升效率之外,科銳最新一代C2M SiC MOSFET的價格也很有競爭力,使得替代低電壓、低耐受度、低效率的Si MOSFET成為可能。
                     
                         科銳1200V C2M 0080120D MOSFET應用在太陽能逆變器的主要電能轉換階段,具有更快的開關特性,開關損耗僅為相應的900V Si超結MOSFET的三分之一?其JSiC MOSFET通過大幅降低開關損耗,從而實現更低的總體系統能源損耗、更高的開關頻率、更低的工作溫度。所有這些優點幫助提升轉換效率,同時降低了系統尺寸、重量、復雜度和熱管理要求。從系統層面來看,逆變器的性能得到了提升、成本得到了下降、使用壽命得到了延長。
                     
                         科銳功率與射頻總經理兼副總裁Cengiz Balkas表示:“我們很高興Sanix公司選擇科銳C2M 1200V SiC MOSFET技術應用在其新型9.9 kW太陽能逆變器中?其JSiC功率器件為光伏逆變器帶來效率、可靠性及成本等多方面的顯著優勢,為Sanix公司提供關鍵競爭優勢,從而幫助其在日本太陽能市場中繼續擴大市場份額。”
                     
                         科銳C2M系列SiC MOSFET業經證明可實現三倍于傳統Si技術的功率密度,目前可提供1200V和1700V、25 mΩ到1 Ω不同產品型號可選?其JC2M MOSFET可用于各種工業級功率型應用場合,自2013年3月推出以來市場需求就不斷增長?其JSiC MOSFET已經實現量產,并為Sanix公司和其他光伏逆變器生產商,以及工業電源、輔助電源轉換器、電池充電器和馬達驅動生產制造商等供貨。
                     
                    如需了解更多關于科銳C2M SiC MOSFET的更多信息,敬請訪問:www.cree.com/Power/Landing-pages/MOSFET-products。
                    如需樣品申請,敬請訪問:www.cree.com/Power/Tools-and-Support/MOSFET-model-request2。
                    如需了解更多關于科銳功率產品信息,請下載科銳功率產品索引指南www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Sales%20Sheets/Power_Product_Selector_Guide.pdf。
                    如需了解更多關于科銳經銷合作伙伴信息,敬請訪問:www.cree.com/power或通過在線方式聯系我們:www.cree.com/Contact/Forms/Power-contact-form。
                     
                     
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