SEMI近期更新了全球晶圓廠預測報告，2015年包含新晶圓廠、二手晶圓廠與專屬測試廠（in-house）在內的晶圓廠設備支出減少了2%，但今年在3D NAND Flash、10納米邏輯制程發展下，估計2016年整體晶圓廠支出將能達到360億美元，年成長約1.5%、2017年更可望進一步來到407億美元，成長約13%。

SEMI報告指出，2016至2017年間，確定新建的晶圓廠就有19座，其中，12寸（300mm）晶圓廠就占了十二座，8寸（200mm）晶圓廠四座，6寸（150mm）以下的LED廠也有三座，不含LED廠，其他十六座8寸與12寸晶圓廠今年開始興建的廠房與生產線，以約當12寸晶圓來看，裝機產能可達到平均每月21萬片，2017年始建的晶圓廠，以約當12寸晶圓來看，裝機產能來到每月33萬片。

報告同時觀察到，當半導體過渡到包含3D技術等尖端科技，現有晶圓廠的產能也正在降低，SEMI預測，將有更多老舊晶圓廠將進行改建，更有甚者，新的晶圓廠以及新的產線也還會再增加。

而以中國臺灣而言，根據SEMI Taiwan先前預測，2015和2016年，臺灣前段晶圓廠整體投資預計將達120億美元。除了晶圓代工廠技術和產能投資的帶動，2014年開始臺灣DRAM晶圓廠的支出同樣開始復蘇，并預期將維持成長至2016年。

（Source：SEMI Taiwan）