4月6日，華引芯發布了全新自研0.4英寸Micro LED模組。該模組集成了129600個像素點，最小芯片單元尺寸及像素間距為18μm，擁有480270分辨率，超25000cd/㎡的亮度及100000:1的對比度，適用于AR、汽車抬頭顯示（HUD）、智能光源顯示等領域。

華引芯介紹，相比采用約2萬顆Mini LED燈珠的高階Mini LED顯示模組，本次其推出的Micro LED模組擁有129600個可單獨驅動的像素點，實現了像素級控光效果，比Mini LED的分區背光控制更加直接和純粹。

華引芯指出，EQE是指發射到外部的光子數與流過結的載流子數目之比，EQE越大，LED發光效率越高。而解決Micro LED的發光效率問題，是實現大規模量產的基礎。Micro LED尺寸小，在大屏幕上受到比較嚴重的側壁效應影響，各種側壁缺陷主要在蝕刻過程中出現，這些缺陷會導致非輻射復合。在低電流密度下，Micro LED的效率將非常低下。對此，華引芯認為可以通過優化LED芯片結構設計、改善工藝流程等來減少側壁效應，從而提升EQE。

本次推出的Micro LED新品，華引芯就采用了Die-to-Wafer Bonding轉移方案，并通過新型LED芯片結構設計及改進工藝等方法提升了芯片的EQE，產品良率及性能得到顯著的提升。此外，華引芯從芯片到封裝再到模組的所有環節都是自主設計制造，有助于其提高生產效率和產品可靠性，進而幫助控制成本，有望推動Micro LED的量產進程。

不過，華引芯也提到，目前Micro LED技術仍然面臨一些技術壁壘，除了芯片效率、巨量轉移及全彩化之外，電源驅動、背板、檢測與修復技術等方面也還未達到量產的水平，因此，Micro LED的量產還需靠全產業鏈的共同推動。