搜搜LED網訊：制造GaN外延芯片的材料工藝和加工設備與GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求

隨著半導體LED芯片技術的發展，其在照明領域的應用也越來越多，特別是白光LED的出現，更是成為半導體照明的熱點。但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發展。提高功率意味著芯片的使用電流加大，最直接的辦法是加大芯片尺寸，現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問題成為突出問題，現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。隨著LED技術的發展，其在照明領域的應用會面臨一個前所未有的機遇和挑戰。

藍光LED芯片通常采用Al2O3襯底，Al2O3襯底硬度很高、熱導率和電導率低，如果采用正裝結構，一方面會帶來防靜電問題，另一方面，在大電流情況下散熱也會成為最主要的問題。同時由于正面電極朝上，會遮掉一部分光，發光效率會降低。大功率藍光LED通過芯片倒裝技術可以比傳統的封裝技術得到更多的有效出光。LED網

現在主流的倒裝結構做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍光LED芯片，同時制備出比藍光LED芯片略大的硅襯底，并在上面制作出供共晶焊接的金導電層及引出導線層（超聲金絲球焊點）。然后，利用共晶焊接設備將大功率藍光LED芯片與硅襯底焊接在一起。這種結構的特點是外延層直接與硅襯底接觸，硅襯底的熱阻又遠遠低于藍寶石襯底，所以散熱的問題很好地解決了。由于倒裝后藍寶石襯底朝上，成為出光面，藍寶石是透明的，因此出光問題也得到解決。

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